副研究员、博士、硕士生导师、省高层次引进人才、云南大学“光电子与微电子”重点实验室主任、云南锗业科技副总（省科技厅遴选）、美国化学协会会员、中国物理学会会员、《eScience》学术期刊青年编委、云南大学中青年骨干教师及“红云园丁”优秀教师。
办公室：材料与能源学院1309室
电子邮件: fengqiu@ynu.edu.cn
fengqiu2010@gmail.com.
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课题组（2D-X group）研究二维材料、光吸收材料、超导体等新型光电材料的结构与物性，并研制红外探测器、场效应光电晶体管、太阳能电池等新型器件；开展紫杉醇分子构筑生物传感器及其抗癌靶向药物研究；开发大尺寸低位错InP、Ge、GaSb等VGF法单晶生长技术并构建异质结光电器件；执行第一性原理与量子输运高通量理论研究等。实验室已具备2D材料生长与转移、光电器件构建工艺、响应率与噪声电流测试等平台与系统、软件版权与超算集群等平台。2018年获省政府自然科学技术一等奖一次。欢迎同行合作，且欢迎有梦想或攻读博士意向的优秀学子加盟。
教育和工作经历
2013.9～至今 云南大学，副研究员
2014.3～2014.7 复旦大学，高级访问学者
2010.9～2013.7 中科院上海技术物理研究所，微电子学与固体电子学，博士
2008.9～2010.7 昆明物理研究所，光学工程，硕士
2007.9～2010.7 云南大学，凝聚态物理，硕士
研究领域
制备二维原子晶体及集成光吸收材料；构建新型光电探测器、场效应晶体管、生物传感器、太阳能电池等；开展第一性原理及器件量子输运理论模拟。
1. 二维材料及新材料研究：二维材料（Graphene、MoS2、BN、RP 钙钛矿）、光吸收材料（Ge QDs、InP单晶、Ge单晶、GaSb单晶、有机无机钙钛矿）、高温超导体YBCO、抗癌药物紫杉醇等新材料制备、结构及其物性研究；
2. 新型光电器件构建：光电探测器、场效应晶体管、光电导器件、光伏器件、生物传感器等新型单元与阵列器件构建，原位光电器件结构与性能研究等；
3. 第一性原理与器件量子输运理论研究：第一性原理计算（VASP）、器件量子输运模拟（Nanodcal）、缺陷和杂质的第一性原理计算(DASP)、机器学习等；
4. 产业化开发：大尺寸低位错密度的InP、Ge、GaSb等单晶VGF法生长技术及其集成二维原子晶体与异质结器件研究。
科研与教学情况
1. 科研项目
(1). 2015年主持云南省科技厅面上项目；
(2). 2017年主持基金委青年科学基金项目；
(3).2019年联合主持基金委地区科学基金项目；
(4).2020年主持云南省高层次人才“青年拔尖人才”专项；
(5).2020年主持云南省科技厅面上项目；
(6).2021年主持基金委地区科学基金项目；
(7).2022年主持云南省科技厅重点项目；
(8).2022年主持云南大学科技成果转化重点项目；
(9).2022年主持云南省重大科技专项子课题；
(10).2023年主持云南大学-云南锗业产教融合实践基地建设项目；
(11).2023年成立并主持云南大学“光电子与微电子重点实验室”；
2．教学项目
(1).讲授《半导体器件工艺》、《材料科学基础》、《工程训练》、《专业实习》等；
(2).学银在线网络课程《走进身边的材料世界》的主讲教师团队成员；
(3).负责光电子微电子材料、先进有色金属材料、新能源与环境材料等方向的学院本科社会实践与实习基地建设。
主要学术成果
[1] Qianqian Fan, Zirui Liu, Feng Qiu*, Yong Mao, Qingju Liu, and Longzhou Zhang*.Electro-assisted Molecular Assembly Endowing the Atomic- Scaled Catalytic Active Site Detection. Chem. Eur. J. 2022, e202202700.
[2] Tao Hu, Rui Zhang, Jianyun Cao,* and Feng Qiu*.Photodetectors based on two-dimensional MoS2 and its assembled heterostructures. Chip, 2022, 1,100017. DOI: 10.1016/j.chip.2022.100017(Invited review, subtitle of front cover).
[3]Tao Huang,Jiafen Ding, Zirui Liu, Rui Zhang, BoLei Zhang, Kai Xiong, Longzhou Zhang, Chong Wang, Shili Shen,Cuiyu Li, Peng Yang, Feng Qiu*, Insight into the underlying competitive mechanism for the shift of the charge neutrality point in a trilayer-graphene field-effect transistor, eScience, 2(3):319-328,2022.Doi: 10.1016/ j.esci.2022.03.005.
[4] Wan Zhang, Feng Qiu*, Yong Li, Rui Zhang, Lun Li, Jiyang Xie, and Wanbiao Hu*, Lattice defect engineering enables performance-enhanced MoS2 photodetector through a paraelectric BaTiO3 dielectric, ACS Nano,15(8), 13370–13379, 2021.
[5] Jiafen Ding, Haochen Tong,Jia Long,Tao Huang, Rui Zhang,Chong Wang,* Yu Yang, Rongfei Wang, Shili Shen,* Kai Xiong, Jie Yang, Hongchen Pan, and Feng Qiu*,Microcrystal-induced crystallization for high-quality germinum/silicon nanofilms, ACS Appl. Electron. Mater. 3(8), 3391–3399,2021(Front cover).
[6] Feng Qiu*, Jingyu Chu, Zirui Liu, Tao Huang, Jinzhong Xiang, Jie Yang, and Chong Wang,Insight into origins of figure of merits and design strategies for organic/inorganic lead halide perovskite solar cells,Solar RRL.,202000452,2020.
[7] Ling Tong, Pan Wang, Wenzhong Fang, Wenzhong Bao*, Yu Yang, Shili Shen*, and Feng Qiu*,Interface engineering of silicon/carbon thin film anode for high-rate lithium-ion batteries, ACS Appl. Mater. Interfaces,12,29242-29252,2020.
[8] Ling Tong, Pan Wang,Anran Chen*, Feng Qiu*, Jie Yang,Chong Wang,Yu Yang*,Improved electrochemical performance of binder-free multi-layered silicon/carbon thin film electrode for lithium-ion batteries, Carbon,53:592-601,2019.
[9] Ling Tong, Feng Qiu*, Pan Wang, Tao Huang, Anran Chen, Xiaohao Zhou, Jia Long, Rongfei Wang, Jie Yang, Chong Wang,and Yu Yang*, Highly tunable doping in Ge quantum dots graphene composite with distinct QD growth evolution, Nanotechnology, 30(19): 195601,2019.
[10] Feng. Qiu*, W. Qiu, Y. Li, X. Wang, Y. Zhang, X. Zhou, Y. Lv, Y. Sun, H. Deng, S. H. Hu* and N.Dai*, An investigation of exciton behavior in type-II self-assembled GaSb/GaAs quantum dots, Nanotechnology,27 (6):065602, 2016.
社会任职
1、2022.11.18—2106.2.7 中国物理学会会员
2、2022.11.16-2024.11.16 eScience期刊青年编委
3、2022.4.11～2025.4.11 Member of American Chemical Society
4、2022.5.7～2025.5.7 云南锗业技术委员会委员